特斯拉SI6芯片蓝图曝光：性能提升80倍，2nm工艺2029年推出

行业背景：AI芯片竞争延伸至汽车领域

随着智能驾驶和自动驾驶技术发展，汽车厂商对AI算力的需求激增。特斯拉作为垂直整合的代表，其自研AI芯片路线图一直备受关注。近日，特斯拉披露了调整后的AI加速器路线图，展示了未来几代芯片的研发方向，为产业链提供了重要参考。

核心信息：SI系列芯片性能大幅提升

特斯拉将其AI芯片系列更名为SI（可能代表Self-driving Inference），最近几代分别为SI4、SI5、SI6。根据披露，第六代推理加速器SI6的计算性能将比目前用于汽车的第四代推理处理器SI4提升80倍，内存提升8倍。SI4由三星代工采用7nm级工艺制造，采用传统倒装芯片球栅阵列（FCBGA）封装，推测配备16GB GDDR6内存。

SI5（又称HW5、AI5）将由台积电和三星分别采用3nm级和2nm级工艺制造，并采用多芯片模块（MCM）设计，性能预计比SI4提升40倍，功耗在250W至800W之间，内存比前代多6倍（即96GB），带宽在768GB/s至1,536GB/s之间。

SI6预计2029至2030年推出，由三星代工采用2nm级工艺制造，并保留MCM方案。特斯拉已与三星签署协议，由其在2033年前制造SI6。

对产业链的影响：先进封装与HBM受关注

特斯拉芯片路线图的调整，反映了汽车行业对高性能计算的需求正在向先进封装和存储技术延伸。SI5和SI6采用的MCM设计，以及未来可能引入的HBM内存，将推动先进封装和存储芯片在汽车领域的应用。同时，三星和台积电在2nm工艺上的竞争，也将影响未来汽车芯片的供应格局。

对于PCB和封装基板行业而言，MCM和HBM的采用意味着对高密度互连（HDI）板和ABF载板的需求可能增加。此外，随着芯片性能提升，对电源管理和散热的要求也将提高，相关元器件和材料供应商需提前布局。

结语

特斯拉SI6芯片蓝图展示了其在高性能AI芯片上的雄心，尽管细节尚待官方确认，但已为产业链指明了技术方向。随着2029-2030年量产节点的临近，汽车AI芯片的竞争将更加激烈，上游材料、封装和制造环节有望受益。

来源：中国自动化网 AET