英飞凌首发300mm碳化硅晶圆功率器件

宽禁带半导体制造向大尺寸演进

碳化硅（SiC）作为宽禁带半导体材料，在牵引逆变器、车载充电器、储能系统和工业传动等高压高温场景中具备显著优势。长期以来，SiC器件主要基于150 mm和200 mm晶圆制造，晶圆尺寸偏小导致单片产出有限、成本居高不下。向更大直径晶圆过渡，成为功率半导体行业降低单位成本、提升供给能力的关键路径。

菲拉赫工厂完成功能性器件验证

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布，其奥地利菲拉赫工厂已成功将300 mm碳化硅晶圆加工成功能性功率器件。该公司称，这是全球首次在大规模半导体晶圆厂环境中实现这一节点，且工艺依托现有硅制造设备完成。相较于200 mm晶圆，300 mm晶圆单片可产出的芯片数量达到前者的2.3倍，生产效率提升明显。

英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示，该里程碑巩固了公司在功率系统领域的领先优势，并推动300 mm碳化硅技术从实验室迈向规模化生产。公司计划与客户及合作伙伴协作，规划300 mm碳化硅的技术路线与产能爬坡节奏，同时继续推进现有200 mm碳化硅制造路线图。

冷切割技术同步验证

在德累斯顿工厂，英飞凌还验证了冷切割（Cold Split）技术用于300 mm碳化硅晶圆的可行性。与传统的线锯切割（Wire Sawing）相比，冷切割从晶锭分离晶圆时可减少材料损耗并缩短加工时间，从而以更低资本支出从同一晶锭获取更多晶圆。两项技术进展共同支撑英飞凌根据市场需求扩大碳化硅产能。

对产业链的影响

碳化硅处于功率半导体材料与制造环节，其晶圆尺寸升级直接关系到下游汽车、可再生能源、工业及AI数据中心等应用的器件成本与供应稳定性。英飞凌此次验证表明，现有硅晶圆厂设备具备向SiC大尺寸制造迁移的潜力，若后续规模化落地，有望缓解SiC器件供给瓶颈，并推动产业链从材料、晶圆制造到封装环节的成本结构优化。AI数据中心领域对碳化硅的需求正延伸至固态变压器、固态断路器与供电单元，大尺寸晶圆带来的产能弹性将增强供应链响应能力。

结语

英飞凌计划于2026年11月10日在慕尼黑electronica展会首次公开展示首片完成加工的300 mm碳化硅晶圆。该公司同时采用硅、碳化硅和氮化镓三种材料生产半导体，此次成果将300 mm晶圆技术拓展至第二种宽禁带材料。

来源：电子产品世界 EEPW