高通中兴完成5G-A互操作测试 覆盖HPUE与端侧AI
5G-A商用推进进入芯片与系统联调阶段
随着5G-A（5G-Advanced）网络部署在全球逐步铺开，芯片平台与基站系统之间的互操作验证成为产业链走向规模商用的关键一环。近日，在IMT-2020（5G）推进组的组织下，高通技术公司携手中兴通讯完成多项5G-A芯片与系统互操作测试，验证了高功率终端、补充上行链路、快速波形切换以及端侧AI/ML等多项关键技术。
核心测试内容：从功率提升到智能波束管理
本次测试采用基于高通X105 5G调制解调器及射频系统的移动测试终端，在中兴通讯基站环境下完成多项技术验证：
- HPUE FDD测试：在n1（2.1GHz）和n28（700MHz）频段按照PC2（26dBm）功率等级完成测试。功率提升可结合UL MIMO在中近点提高用户速率，并在小区边缘扩大FDD频段上行覆盖。单PA的FDD HPUE技术也被视为提升NR NTN上行链路覆盖的重要手段之一。
- HPUE TDD测试：在n41（2.6GHz）和n78（3.5GHz）频段按照PC1.5（29dBm）功率等级完成测试，为运营商在TDD频段改善小区边缘上行体验提供了更多终端功率等级选择。
- TDD SUL测试：完成A频段（n95，2010-2025MHz）和F频段（n98，1880-1920MHz）的补充上行链路测试。该技术利用低频段频谱资源补充5G上行传输，终端在连接主载波的同时通过补充上行载波发送数据，提升上行速率与稳定性，有助于缓解上行资源受限问题，为视频上传、直播等业务提供更稳定的连接支持。
- 基于层1的快速波形切换：在3GPP Release 18标准支持下，网络可根据信道条件在DFT-s-OFDM与CP-OFDM之间快速切换。在高铁等高速移动场景中通过DCI指示实现快速切换，有利于提升上行链路性能；在覆盖受限场景中切换到低峰均比（PAPR）的DFT-s-OFDM波形，可提升发射功率效率和上行覆盖；在连接条件较好时切换到CP-OFDM波形，可提高上行速率。
- 端侧AI/ML辅助波束管理：测试终端利用少量下行宽波束的参考信号测量信息，预测大量未实际测量窄波束的参考信号接收功率（RSRP）。在n258（25.5GHz）频段的中兴通讯基站小区内，完成了基于12个预测输入宽波束和24个预测输出窄波束的端侧AI/ML波束预测测试。结果显示，在保障下行数据传输性能的前提下，窄波束测量相关的参考信号开销及终端侧测量负荷显著降低，验证了端侧AI/ML赋能智能化、绿色化5G-A/6G无线通信的应用潜力。
对产业链的影响：终端射频与基带环节直接受益
从产业链角度看，本次测试落在芯片设计（调制解调器与射频系统）与通信设备制造的交汇环节。高通X105作为测试终端核心平台，其与中兴基站系统的互操作验证，意味着5G-A终端侧芯片方案正在加速成熟。HPUE技术对终端射频前端提出更高功率要求，将带动功率放大器（PA）、滤波器等射频器件的升级需求；TDD SUL和快速波形切换则对基带处理能力提出新要求，推动芯片设计向更高集成度和更低功耗演进。端侧AI/ML波束管理在毫米波频段的应用，也为未来6G系统的智能无线管理提供了技术储备。
对于PCB及电子元器件供应链而言，5G-A终端射频通道数量增加、功率等级提升，将间接拉动高频高速覆铜板（CCL）、射频连接器等上游材料与组件的需求，但本次测试本身未披露具体终端形态或量产计划，短期直接影响有限。
结语
此次互操作测试覆盖了5G-A上行增强与智能波束管理两大方向，体现了芯片厂商与设备商在标准演进中的协同节奏。随着5G-A规模商用临近，终端芯片与网络设备的联调验证将更加密集，产业链上游的射频器件、基带芯片及高频材料环节有望持续受益。
来源：中国自动化网 AET
