三星SK海力士斥巨资抢购EUV光刻机 存储扩产遇设备瓶颈
AI算力驱动存储扩产，设备成关键瓶颈
随着AI算力需求激增，全球存储芯片巨头正掀起新一轮扩产潮。在先进DRAM制程推进过程中，核心设备供应瓶颈已成为行业焦点。韩国存储双雄三星电子与SK海力士正围绕ASML极紫外（EUV）光刻机展开激烈的交付排期争夺，以确保下一代先进制程顺利量产。
两大巨头投资规模空前
为支撑先进DRAM产能扩张，三星与SK海力士的EUV设备采购投入均在10万亿至20万亿韩元区间。SK海力士此前披露一项价值约11.95万亿韩元的采购计划，要求设备在2027年底前完成交付，以支持其向1c DRAM制程过渡。三星电子则配合平泽P5工厂建设节奏推进设备下单，该工厂首座晶圆厂预计2028年投产，第一阶段洁净室有望在2027年上半年完工，随后光刻设备陆续进场安装。
先进制程依赖加深，EUV层数攀升
随着DRAM电路间距不断缩小，EUV技术成为突破物理极限的关键。以SK海力士1c DRAM为例，其计划将使用EUV的工艺层数从上一代的3层增加至5层以上。制程越先进，所需曝光工时和机台数量越多，单条产线设备需求同步攀升。此外，两家公司均在准备采用更先进的高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术，三星计划在2028年将其导入DRAM量产，以抢占技术窗口。
ASML产能扩张难解供应短缺
尽管存储厂商重金投入，EUV设备供应瓶颈正持续发酵。ASML在最新财报中明确指出，即便2027年和2028年EUV产能分别提升30%，仍无法满足客户需求，供应短缺或延续至2028年。受供给紧张影响，核心设备交付周期已拉长至原先的两倍，部分客户甚至有意订购2029年乃至2030年的设备。市场格局也在转变，EUV买家结构正从逻辑晶圆厂一家独大转向逻辑+存储双支柱，今年第三季度存储器客户已占ASML整机销售额的46%。
设备紧缺蔓延至先进封装环节
设备紧缺的影响已从前道制造延伸至后端封装领域。随着AI数据中心对高带宽内存（HBM）需求激增，先进封装产能同样面临考验。包括韩美半导体、安靠（Amkor）在内的封装厂商，订单积压已长达两到三年。用于HBM制造的热压（TC）键合机等关键设备需求大幅走扬，进一步加剧供应链紧张态势。
产能释放尚需时日，抢机台为未来卡位
行业机构指出，随着DRAM制程向10纳米级微缩，曝光工时与机台数量已成为产能爬坡的关键制约因素，制程越先进，单线对EUV设备的消耗便呈指数级攀升。也有专业人士认为，当前AI投资周期仍处上行阶段，需求正从算力芯片向存储、制造与设备端扩散，存储涨价与设备紧缺态势有望延续至2027年。不过，半导体产业也遵循客观规律，尽管巨头抛出数百亿美元天价投资计划，但大量资本开支实际用于建设高标准的厂房与洁净室，真正产能释放往往需要等待2至3年周期。当前的抢机台大战，本质上是在为未来市场卡位。
来源：电子发烧友
