英飞凌携手伟世通欣锐开发GaN单级OBC

合作背景

随着电动汽车对充电效率、功率密度和系统成本的要求不断提升，车载充电器（OBC）的架构创新成为产业链关注焦点。传统两级OBC需要大容量电容和多个功率级，体积大、复杂度高。在此背景下，伟世通公司（Visteon Corporation）与欣锐科技（SHINRY Technologies Co. Ltd.）通过合资企业Visteon-Shinry Power Electronics LLC（VSPE），联合英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY），于2026年11月13日在德国慕尼黑electronica展会上宣布共同开发面向电动汽车的单级OBC。

技术核心

该方案融合了VSPE先进的转换器硬件拓扑、专有控制策略及系统集成专长，以及英飞凌的氮化镓（GaN）单片双向开关（BDS）技术。VSPE的单级架构将传统上由不同功率级分别实现的电能转换功能整合为一体，省去了传统两级OBC中的大容量电容，从而提高了可靠性、降低了系统复杂度、使结构更紧凑并降低成本。该OBC支持22 kW三相和19.2 kW单相交流充电，具备完整的车联网（V2X）双向功能，可实现与电网的能量交互。

英飞凌的GaN BDS技术将双向电压阻断和双向电流导通功能集成于单个器件中，能够以更少的半导体器件实现双向开关功能，简化功率级。GaN的高频开关能力还有助于提高功率密度，并缩小磁性元件的尺寸。

产业链影响

此次合作落在电动汽车功率电子与半导体环节，涉及OBC的架构设计、功率器件制造和系统集成。对PCB与元器件行业而言，单级架构和GaN器件的应用将推动功率板向更高集成度、更高频率和更小体积方向演进，对高密度互连（HDI）板、散热基板及被动元件的选型提出新要求。同时，GaN BDS器件减少半导体用量，可能改变OBC供应链中功率开关的竞争格局。VSPE联席总经理赵紫来表示，合作汇聚了各方在汽车电子、功率转换和先进半导体领域的互补优势。欣锐科技首席技术官孙浩称，将英飞凌GaN开关与专有单级拓扑结合，将为功率密度和系统成本带来突破。英飞凌科技汽车GaN业务副总裁Benoit Rousseau表示，GaN双向开关在2026年世界新能源汽车大会上获评“国际新能源汽车创新技术”，其开关性能和效率与更高水平的半导体集成度相结合，为全新功率转换架构提供支持。

结语

三方合作瞄准下一代电动汽车平台，单级OBC方案若实现量产，将带动功率半导体、磁性元件和PCB供应链的技术升级，值得持续关注。

来源：中国自动化网 AET