中微公司首台等离子体晶圆切割设备交付封测客户

先进封装扩产带动晶圆切割设备需求

先进封装已成为延续摩尔定律的主要技术路径之一，而晶圆切割是封装前段的关键工序，切割质量与效率直接关系到芯片良率与产出。随着芯片微型化推进，切割道不断收窄，传统刀轮切割在低损伤与窄道加工上的局限日益明显，等离子体切割因此受到封测环节关注。

首台设备交付国内封装客户

中微半导体设备（上海）股份有限公司（简称“中微公司”）11月10日宣布，其全新产品Primo Matrix双反应台等离子体晶圆切割设备首台已付运国内一家重要集成电路封装客户。该设备基于中微公司已在量产中验证的Primo TSV等离子体深硅刻蚀技术，集成双反应台刻蚀腔室与晶圆传输模块，定位为先进封装等离子体切割路线的自主方案。

关键规格与工艺覆盖

根据公开信息，Primo Matrix以300mm晶圆为主要加工平台，向下兼容200mm晶圆，并支持带框架晶圆的高效率切割。切割精度方面，设备可适配最小5μm的切割道宽度，有助于减少晶圆面积损耗、提升有效芯片产出。工艺兼容性上，设备支持25–700μm晶圆厚度范围，覆盖超薄晶圆与常规厚度晶圆的减薄后切割需求。

系统层面，Primo Matrix依托Primo平台打造，最多可搭载6个刻蚀反应台，适配长工艺时间需求。设备支持带凸点晶圆正面等离子体切割、激光开槽后等离子体切割及晶圆背面刻蚀等典型工艺，并具备介质层等硬掩膜开口刻蚀能力，可应对具有介质层及复杂表面结构的晶圆加工。

对产业链的影响

从产业链环节看，该设备落在封装设备这一环，直接服务封测厂与先进封装产线。等离子体切割设备此前主要由海外厂商供应，中微公司首台设备交付意味着国产设备在先进封装切割环节进入客户验证与量产导入阶段，为封测厂提供了新的设备选择。对上游材料与制造环节而言，窄切割道与低损伤切割能力有助于提升芯片产出，间接影响晶圆利用率与封装成本结构。

中微公司同时披露，其刻蚀设备已覆盖65纳米到3纳米及更先进工艺，介质刻蚀达到60比1、90比1的深宽比，硅刻蚀达到140比1的深宽比；其双反应台ICP刻蚀技术达到0.2纳米单原子水平。公司计划未来五年通过有机生长与外延扩展，将产品矩阵拓宽至刻蚀、薄膜、湿法和量检测设备，覆盖约60%以上的高端半导体设备市场及70%以上的先进封装设备市场。

结语

首台Primo Matrix付运是国内等离子体切割设备从发布走向客户产线的重要节点，后续设备在封装客户处的验证进度与工艺表现，将决定国产方案在先进封装切割环节的渗透节奏。

来源：中国自动化网 AET