佳能推出KrF光刻机新品 产能与套刻精度双提升

行业背景：先进封装与三维堆叠推高光刻设备要求

生成式人工智能的普及带动尖端半导体需求持续扩大，芯片制造对光刻设备的生产效率提出更高要求。与此同时，高集成化推进使曝光工序增多，多层堆叠成为趋势，晶圆翘曲和变形问题愈发突出。光刻机需要适配翘曲更大的晶圆，并高精度地套刻各层电路图案，这成为设备厂商竞争的新焦点。

核心信息：产能与精度同步升级

佳能于2026年11月10日在东京宣布，将于2026年12月上旬发售面向存储和逻辑芯片的KrF扫描式半导体光刻机“FPA-6400ES6a”。KrF指氟化氪，曝光波长为248nm。该设备通过新开发的超高加速度载台缩短驱动时间，在300mm基板和96个曝光单元条件下实现每小时400片的曝光处理能力，相比前代机型“FPA-6300ES6a”（2012年4月发售）产能大幅提升。

精度方面，佳能开发了高速驱动时仍能稳定进行高精度位置控制的震动抑制技术，以及降低设备内气流不均匀、使激光光路温度均一化的空调控制技术，实现4.0nm套刻精度。佳能称，这是截至2026年11月9日其调查结果中，支持300mm基板的KrF扫描式光刻机里的业界高水平。

翘曲应对与对准系统升级

在佳能独有的图像对准系统中，新增了可选配的新光源“Hi-ALS（High Alignment Light Source）”。该光源可根据材料和工艺任意选择合适的对准测量波长，从而在各种半导体制造工艺中实现高精度对准，提高工艺稳定性。设备可在曝光前测量晶圆翘曲量，并通过调整载台上的吸气流量提高对大翘曲晶圆的吸附能力，将可对应的翘曲量扩大到700μm，强化了对三维器件堆叠及晶圆键合工艺中晶圆翘曲的应对能力。

此外，该设备与佳能半导体光刻机解决方案平台“Lithography Plus”（2022年9月发售）联动，通过活用佳能积累的半导体制造相关数据，对设备状态进行监视、分析并实施品质管理，以提升用户生产率。

节能设计与产业链影响

FPA-6400ES6a搭载新开发的电力控制技术，可将载台减速时产生的再生电力储存在电容器中，并在加速时再利用。通过控制来自电源和电容器的电力供给，在确保超高加速度载台所需高响应性的同时，有效利用再生能源。设备还配备支持超高加速度载台的高效率电源，通过提升电源效率降低电力损耗，并简化冷却机构，从而降低每片晶圆曝光所需的耗电量。

从产业链角度看，光刻设备处于半导体制造环节的核心位置。KrF光刻机虽不用于最先进制程，但广泛服务于存储芯片、逻辑芯片成熟制程以及先进封装中的重布线层等工序。随着HBM（高带宽内存）堆叠层数增加和晶圆键合工艺普及，晶圆翘曲控制成为影响良率的关键因素。佳能此次强化翘曲应对能力并提升产能，将直接惠及存储芯片制造商和先进封装产线，对上游设备供应链和下游封测环节形成支撑。

结语

佳能FPA-6400ES6a的推出，反映出光刻设备正从单纯追求分辨率转向产能、套刻精度与翘曲适应性的综合比拼。在AI芯片与先进封装需求共振的背景下，设备环节的技术迭代将持续影响芯片制造的成本与效率。

来源：电子产品世界 EEPW